MJB45H11T4G دیتاشیت

MJB44H11G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJB44H11G
حجم فایل 97.089 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت MJB44H11G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi MJB45H11T4G
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 10A
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Transition Frequency (fT): 40MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 40@4A,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 10uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 80V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1V@400mA,8A
  • Package: D2PAK
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه